casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IKA03N120H2XKSA1
codice articolo del costruttore | IKA03N120H2XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IKA03N120H2XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IKA03N120H2XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8.2A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 9A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
Potenza - Max | 29W |
Cambiare energia | 290µJ |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 8.6nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 9.2ns/281ns |
Condizione di test | 800V, 3A, 82 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 52ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IKA03N120H2XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IKA03N120H2XKSA1-FT |
FGD3040G2_SN00297
ON Semiconductor
FGD3440G2
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FGD3N60LSDTM-T
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FGD4536TM
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GT10J312(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
HGTD3N60C3S9A
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HGTD7N60C3S9A
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LCMXO256E-4TN100C
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M2GL050S-1FG484I
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5SGXEA7H3F35C4
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5SGXMA7H2F35C2
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AX1000-1FGG676I
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M1AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SCM153I7G
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EP20K100EBC356-1
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EP1C4F324C7N
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