casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IGA30N60H3XKSA1
codice articolo del costruttore | IGA30N60H3XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IGA30N60H3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchStop® |
IGA30N60H3XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 18A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 43W |
Cambiare energia | 1.17mJ |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 165nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 18ns/207ns |
Condizione di test | 400V, 30A, 10.5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-31 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IGA30N60H3XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IGA30N60H3XKSA1-FT |
FGD3040G2
ON Semiconductor
FGD3040G2_SN00297
ON Semiconductor
FGD3440G2
ON Semiconductor
FGD3N60LSDTM-T
ON Semiconductor
FGD3N60UNDF
ON Semiconductor
FGD4536TM
ON Semiconductor
FGD4536TM_SN00306
ON Semiconductor
FGD5T120SH
ON Semiconductor
GT10J312(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
HGTD3N60C3S9A
ON Semiconductor
XCKU5P-1FFVB676E
Xilinx Inc.
EP4CE15F23C6N
Intel
EP1K50FC256-1
Intel
EP3C10E144I7
Intel
EP4SE530H35I4N
Intel
A40MX02-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EFC324-1X
Intel