casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFZ44EPBF
codice articolo del costruttore | IRFZ44EPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFZ44EPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFZ44EPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFZ44EPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFZ44EPBF-FT |
IRF6645
Infineon Technologies
IRF6645TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6646TR1
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IRF6646TR1PBF
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A3P060-1TQ144I
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M2GL025T-1FCSG325I
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M1A3P400-FG484
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LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
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5SGXEA4K1F35C2N
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ICE40UL1K-CM36AI
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LFXP6C-5Q208C
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5AGXFB3H4F35C5N
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10AX016E3F27I1HG
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