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ON Semiconductor FQB7P20TM-F085

Name: FQB7P20TM-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQB7P20TM-F085
Price: 0.886104 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (132 reviews)

Numero parte MFG: FQB7P20TM-F085

quantità disponibile: 79000 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.886104

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, QFET® MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FQB7P20TM-F085.pdf

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FQB7P20TM-F085 specificazioni

codice articolo del costruttore	FQB7P20TM-F085
Numero di parte futuro	FT-FQB7P20TM-F085
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, QFET®
FQB7P20TM-F085 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	690 mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	770pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.13W (Ta), 90W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQB7P20TM-F085 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FQB7P20TM-F085-FT

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