casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQB8N60CFTM
codice articolo del costruttore | FQB8N60CFTM |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FQB8N60CFTM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRFET® |
FQB8N60CFTM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.26A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 3.13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1255pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 147W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB8N60CFTM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQB8N60CFTM-FT |
FDB9403_SN00268
ON Semiconductor
FQB10N20CTM
ON Semiconductor
FQB10N20LTM
ON Semiconductor
FQB10N20TM
ON Semiconductor
FQB10N60CTM
ON Semiconductor
FQB11N40TM
ON Semiconductor
FQB12N50TM_AM002
ON Semiconductor
FQB12N60CTM
ON Semiconductor
FQB12N60TM_AM002
ON Semiconductor
FQB12P10TM
ON Semiconductor
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel