casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFU1010Z
codice articolo del costruttore | IRFU1010Z |
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Numero di parte futuro | FT-IRFU1010Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFU1010Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 140W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU1010Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFU1010Z-FT |
BSZ028N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ033NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ034N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ040N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ0500NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0501NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0502NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0503NSIATMA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel