casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFSL4310ZPBF
codice articolo del costruttore | IRFSL4310ZPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFSL4310ZPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFSL4310ZPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6860pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFSL4310ZPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFSL4310ZPBF-FT |
IPD90N04S304ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S3H4ATMA1
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IPD90N06S404ATMA1
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IPD90N06S404ATMA2
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IPD90N06S405ATMA1
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IPD90N06S405ATMA2
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IPD90N06S407ATMA1
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IPD90N06S407ATMA2
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IPD90N06S4L03ATMA1
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IPD90N06S4L03ATMA2
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