casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD90N04S304ATMA1
codice articolo del costruttore | IPD90N04S304ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD90N04S304ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD90N04S304ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD90N04S304ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD90N04S304ATMA1-FT |
IPD50R380CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R399CP
Infineon Technologies
IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R3K0CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R500CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R500CEAUMA1
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IPD50R500CEBTMA1
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IPD50R520CP
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IPD50R650CEATMA1
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IPD50R650CEBTMA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
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XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
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EP1S60F1020C5N
Intel