casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD90N06S405ATMA2
codice articolo del costruttore | IPD90N06S405ATMA2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPD90N06S405ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPD90N06S405ATMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 60µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 107W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-11 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD90N06S405ATMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD90N06S405ATMA2-FT |
IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R500CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R520CP
Infineon Technologies
IPD50R650CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R650CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R800CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R800CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD530N15N3GATMA1
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel