casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFS3006TRL7PP
codice articolo del costruttore | IRFS3006TRL7PP |
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Numero di parte futuro | FT-IRFS3006TRL7PP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFS3006TRL7PP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 240A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 168A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8850pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (7-Lead) |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS3006TRL7PP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFS3006TRL7PP-FT |
BSL372SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL373SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL606SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL716SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL802SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL802SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
PMN15UN,115
NXP USA Inc.
PMN20EN,115
NXP USA Inc.
PMN22XN,115
NXP USA Inc.
PMN230ENEX
Nexperia USA Inc.