casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFR3410TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFR3410TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFR3410TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFR3410TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1690pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 110W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR3410TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFR3410TRPBF-FT |
IRFR1205TRLPBF
Infineon Technologies
IRFR1205TRPBF
Infineon Technologies
IRFR1205TRR
Infineon Technologies
IRFR1205TRRPBF
Infineon Technologies
IRFR120ATM
ON Semiconductor
IRFR120NCPBF
Infineon Technologies
IRFR120NCTRLPBF
Infineon Technologies
IRFR120NPBF
Infineon Technologies
IRFR120NTRRPBF
Infineon Technologies
IRFR120Z
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel