casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFR120NTRRPBF
codice articolo del costruttore | IRFR120NTRRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFR120NTRRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFR120NTRRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 48W (Tc) |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR120NTRRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFR120NTRRPBF-FT |
FQD9N08TM
ON Semiconductor
FQD9N25TF
ON Semiconductor
FQD9N25TM-F085
ON Semiconductor
GP1M003A040CG
Global Power Technologies Group
GP1M003A050CG
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GP1M003A080CH
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GP1M003A090C
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GP1M005A050CH
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GP1M006A065CH
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