casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFR1205TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFR1205TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFR1205TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFR1205TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 107W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR1205TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFR1205TRPBF-FT |
FQD7P20TF
ON Semiconductor
FQD7P20TM_F080
ON Semiconductor
FQD8N25TF
ON Semiconductor
FQD8P10TF
ON Semiconductor
FQD8P10TF_NB82052
ON Semiconductor
FQD8P10TM_F080
ON Semiconductor
FQD8P10TM_SB82052
ON Semiconductor
FQD9N08TM
ON Semiconductor
FQD9N25TF
ON Semiconductor
FQD9N25TM-F085
ON Semiconductor
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel