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Infineon Technologies IRFR2905ZPBF

Numero parte MFG
IRFR2905ZPBF
quantità disponibile
64280 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRFR2905ZPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRFR2905ZPBF
Numero di parte futuro FT-IRFR2905ZPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFR2905ZPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFR2905ZPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFR2905ZPBF-FT

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