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ON Semiconductor HUFA76609D3ST

Numero parte MFG
HUFA76609D3ST
quantità disponibile
40750 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
UltraFET™ MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore HUFA76609D3ST
Numero di parte futuro FT-HUFA76609D3ST
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie UltraFET™
HUFA76609D3ST Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Vgs (massimo) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 425pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 49W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252AA
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUFA76609D3ST Peso Contattaci
Numero parte di ricambio HUFA76609D3ST-FT

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