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ON Semiconductor HUFA76609D3ST_F085

Name: HUFA76609D3ST_F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: HUFA76609D3ST_F085
Availability: InStock
Rating: 4.9 (307 reviews)

Numero parte MFG: HUFA76609D3ST_F085

quantità disponibile: 52660 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HUFA76609D3ST_F085.pdf

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HUFA76609D3ST_F085 specificazioni

codice articolo del costruttore	HUFA76609D3ST_F085
Numero di parte futuro	FT-HUFA76609D3ST_F085
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
HUFA76609D3ST_F085 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	425pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	49W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUFA76609D3ST_F085 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HUFA76609D3ST_F085-FT

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