casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFR13N20DTRL
codice articolo del costruttore | IRFR13N20DTRL |
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Numero di parte futuro | FT-IRFR13N20DTRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFR13N20DTRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR13N20DTRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFR13N20DTRL-FT |
HUF75329D3S
ON Semiconductor
HUF75617D3S
ON Semiconductor
HUF75617D3ST
ON Semiconductor
HUF75829D3S
ON Semiconductor
HUF75829D3ST
ON Semiconductor
HUF75925D3ST
ON Semiconductor
HUF76009D3ST
ON Semiconductor
HUF76013D3S
ON Semiconductor
HUF76013D3ST
ON Semiconductor
HUF76407D3S
ON Semiconductor
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel