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ON Semiconductor HUF76009D3ST

Numero parte MFG
HUF76009D3ST
quantità disponibile
76310 pezzi
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
UltraFET™ MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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HUF76009D3ST specificazioni

codice articolo del costruttore HUF76009D3ST
Numero di parte futuro FT-HUF76009D3ST
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie UltraFET™
HUF76009D3ST Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 41W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252AA
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUF76009D3ST Peso Contattaci
Numero parte di ricambio HUF76009D3ST-FT

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