casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUF75329D3S
codice articolo del costruttore | HUF75329D3S |
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Numero di parte futuro | FT-HUF75329D3S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75329D3S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 128W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75329D3S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUF75329D3S-FT |
FQD30N06TF_F080
ON Semiconductor
FQD3N30TF
ON Semiconductor
FQD3N30TM
ON Semiconductor
FQD3N40TF
ON Semiconductor
FQD3N40TM
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FQD3N50CTF
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FQD3N50CTM
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FQD3N60TF
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FQD3N60TM
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FQD3P20TF
ON Semiconductor
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
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APA450-FG256
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A3P400-1FG256
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XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
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LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
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LCMXO2-4000HC-6MG132C
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EP3SE110F780C4L
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