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Infineon Technologies IRFP4768PBF

Numero parte MFG
IRFP4768PBF
quantità disponibile
19920 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 5.936
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 250V 93A TO-247AC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRFP4768PBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRFP4768PBF
Numero di parte futuro FT-IRFP4768PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFP4768PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 93A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10880pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFP4768PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFP4768PBF-FT

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