casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPI15N60C3HKSA1
codice articolo del costruttore | SPI15N60C3HKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPI15N60C3HKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPI15N60C3HKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 9.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1660pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPI15N60C3HKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPI15N60C3HKSA1-FT |
IRFSL4710PBF
Infineon Technologies
IRFSL5615PBF
Infineon Technologies
IRFSL5620PBF
Infineon Technologies
IRFSL59N10D
Infineon Technologies
IRFSL7434PBF
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IRFSL7530PBF
Infineon Technologies
IRFSL7534PBF
Infineon Technologies
IRFSL7537PBF
Infineon Technologies
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation