casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPI15N60CFDHKSA1
codice articolo del costruttore | SPI15N60CFDHKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPI15N60CFDHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPI15N60CFDHKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 9.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 750µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPI15N60CFDHKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPI15N60CFDHKSA1-FT |
IRFSL5615PBF
Infineon Technologies
IRFSL5620PBF
Infineon Technologies
IRFSL59N10D
Infineon Technologies
IRFSL7434PBF
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IRFSL7530PBF
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IRFSL7534PBF
Infineon Technologies
IRFSL7537PBF
Infineon Technologies
IRFSL7540PBF
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel