casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFP2907PBF
codice articolo del costruttore | IRFP2907PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFP2907PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFP2907PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 209A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 125A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 470W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP2907PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFP2907PBF-FT |
SPI15N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI16N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI20N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI20N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPI20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI21N10
Infineon Technologies
SPI21N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI35N10
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel