casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPI35N10
codice articolo del costruttore | SPI35N10 |
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Numero di parte futuro | FT-SPI35N10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
SPI35N10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 26.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPI35N10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPI35N10-FT |
IRFZ24NL
Infineon Technologies
IRFZ24NLPBF
Infineon Technologies
IRFZ34NL
Infineon Technologies
IRFZ34NLPBF
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IRFZ44EL
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IRFZ44NL
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IRFZ44VZL
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IRFZ44ZL
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IRFZ46NL
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IRFZ46NLPBF
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel