casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPI21N50C3XKSA1
codice articolo del costruttore | SPI21N50C3XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPI21N50C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPI21N50C3XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPI21N50C3XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPI21N50C3XKSA1-FT |
IRFSL7734PBF
Infineon Technologies
IRFZ24NL
Infineon Technologies
IRFZ24NLPBF
Infineon Technologies
IRFZ34NL
Infineon Technologies
IRFZ34NLPBF
Infineon Technologies
IRFZ44EL
Infineon Technologies
IRFZ44NL
Infineon Technologies
IRFZ44VZL
Infineon Technologies
IRFZ44ZL
Infineon Technologies
IRFZ46NL
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel