casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFIZ48N
codice articolo del costruttore | IRFIZ48N |
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Numero di parte futuro | FT-IRFIZ48N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFIZ48N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB Full-Pak |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFIZ48N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFIZ48N-FT |
IPAW60R280CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R600P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R600P7XKSA1
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IPAW60R380CEXKSA1
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IPA60R650CEXKSA1
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IPAN50R500CEXKSA1
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IPAW60R360P7SXKSA1
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IPAW60R280P7SXKSA1
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IPA60R099P6XKSA1
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A3P060-1TQ144I
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M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
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LFE5UM-45F-8BG381C
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EPF10K130EFI484-2
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5SGXEA4K1F35C2N
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ICE40UL1K-CM36AI
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LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
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10AX016E3F27I1HG
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