casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R600P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R600P7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA60R600P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPA60R600P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 21W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R600P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R600P7XKSA1-FT |
BSP316PE6327
Infineon Technologies
BSP316PE6327T
Infineon Technologies
BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP317PE6327
Infineon Technologies
BSP317PE6327T
Infineon Technologies
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP318S E6327
Infineon Technologies
BSP318SL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP320S E6327
Infineon Technologies
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel