casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R600P7XKSA1

| codice articolo del costruttore | IPA60R600P7XKSA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IPA60R600P7XKSA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | CoolMOS™ P7 |
| IPA60R600P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 400V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 21W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPA60R600P7XKSA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IPA60R600P7XKSA1-FT |

BSP316PE6327
Infineon Technologies

BSP316PE6327T
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BSP316PH6327XTSA1
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BSP316PL6327HTSA1
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BSP317PE6327
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BSP318S E6327
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BSP318SL6327HTSA1
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BSP320S E6327
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