casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPAW60R280CEXKSA1
codice articolo del costruttore | IPAW60R280CEXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPAW60R280CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPAW60R280CEXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 430µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 100V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAW60R280CEXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPAW60R280CEXKSA1-FT |
BSP315PE6327T
Infineon Technologies
BSP315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP316PE6327
Infineon Technologies
BSP316PE6327T
Infineon Technologies
BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP317PE6327
Infineon Technologies
BSP317PE6327T
Infineon Technologies
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel