casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFIZ34E
codice articolo del costruttore | IRFIZ34E |
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Numero di parte futuro | FT-IRFIZ34E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFIZ34E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 37W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB Full-Pak |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFIZ34E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFIZ34E-FT |
IPAW60R190CEXKSA1
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IPA70R750P7SXKSA1
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IPA60R600P7XKSA1
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IPAW60R360P7SXKSA1
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M1A3P600L-FGG484
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XC6SLX45-N3CSG324C
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