casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC097N06NSTATMA1
codice articolo del costruttore | BSC097N06NSTATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC097N06NSTATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC097N06NSTATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 48A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 14µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1075pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 43W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC097N06NSTATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC097N06NSTATMA1-FT |
IRFH8324TR2PBF
Infineon Technologies
AUIRFN7107TR
Infineon Technologies
AUIRFN8401TR
Infineon Technologies
AUIRFN8403TR
Infineon Technologies
AUIRFN8405TR
Infineon Technologies
BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSC011N03LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC014N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC014N03MSGATMA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation