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codice articolo del costruttore | BSC109N10NS3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC109N10NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC109N10NS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 63A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 45µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC109N10NS3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC109N10NS3GATMA1-FT |
BSC011N03LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC014N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC014N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC015NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSC016N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC016N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC016N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC018N04LSGATMA1
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel