casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC109N10NS3GATMA1
codice articolo del costruttore | BSC109N10NS3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC109N10NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC109N10NS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 63A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 45µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC109N10NS3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC109N10NS3GATMA1-FT |
BSC011N03LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC014N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC014N03MSGATMA1
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BSC014N04LSATMA1
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BSC014N06NSATMA1
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BSC015NE2LS5IATMA1
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BSC016N03LSGATMA1
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BSC016N03MSGATMA1
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BSC016N04LSGATMA1
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BSC018N04LSGATMA1
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A3PE600-1FG256I
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A3P1000-2PQ208
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