casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFH5301TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFH5301TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFH5301TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH5301TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.85 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5114pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 110W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) Single Die |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5301TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFH5301TRPBF-FT |
IPW65R019C7FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R150CFDAFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190CFDAFKSA1
Infineon Technologies
IPSA70R950CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS80R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies
IPS80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
IPS80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel