casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFH5210TR2PBF
codice articolo del costruttore | IRFH5210TR2PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFH5210TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH5210TR2PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 55A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2570pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5210TR2PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFH5210TR2PBF-FT |
IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099CPAFKSA1
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IPW60R099P6XKSA1
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IPW60R330P6FKSA1
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IPW65R019C7FKSA1
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