casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFH5110TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFH5110TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFH5110TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH5110TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 63A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3152pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5110TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFH5110TRPBF-FT |
AUIRFP4310Z
Infineon Technologies
IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R045CPAFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099CPAFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R190P6FKSA1
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation