casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW60R060C7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPW60R060C7XKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPW60R060C7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPW60R060C7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 15.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2850pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 162W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R060C7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R060C7XKSA1-FT |
IPI26CN10N G
Infineon Technologies
IPI26CNE8N G
Infineon Technologies
IPI320N20N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI35CN10N G
Infineon Technologies
IPI45N06S3-16
Infineon Technologies
IPI45N06S3L-13
Infineon Technologies
IPI45N06S409AKSA1
Infineon Technologies
IPI45N06S4L08AKSA1
Infineon Technologies
IPI45P03P4L11AKSA1
Infineon Technologies
IPI47N10S33AKSA1
Infineon Technologies
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel