casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC080N03LSGATMA1
codice articolo del costruttore | BSC080N03LSGATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC080N03LSGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC080N03LSGATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 53A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC080N03LSGATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC080N03LSGATMA1-FT |
BSZ0909NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ165N04NSGATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S51R7ATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S51R9ATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S55R4ATMA1
Infineon Technologies
IRFH7084TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8201TRPBF
Infineon Technologies