codice articolo del costruttore | IRFD213 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFD213 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD213 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 450mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 270mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD213 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFD213-FT |
IPP076N15N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N12S305AKSA1
Infineon Technologies
IPP50N12S3L15AKSA1
Infineon Technologies
IPP50R250CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R110CFDXKSA2
Infineon Technologies
IPP65R150CFDXKSA2
Infineon Technologies
IPP65R190CFDXKSA2
Infineon Technologies
IPP65R310CFDXKSA2
Infineon Technologies
IPP65R420CFDXKSA2
Infineon Technologies
IPP70N12S311AKSA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel