casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP70N12S311AKSA1
codice articolo del costruttore | IPP70N12S311AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP70N12S311AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPP70N12S311AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP70N12S311AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP70N12S311AKSA1-FT |
IPC60R380E6X7SA1
Infineon Technologies
IPC60R385CPX1SA1
Infineon Technologies
IPC60R3K3C6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R520E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R520E6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R600E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R600E6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R950C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R950C6X1SA1
Infineon Technologies
IPC65R037C6X1SA2
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel