casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP65R190CFDXKSA2
codice articolo del costruttore | IPP65R190CFDXKSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP65R190CFDXKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPP65R190CFDXKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP65R190CFDXKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP65R190CFDXKSA2-FT |
IPC60R380C6X7SA1
Infineon Technologies
IPC60R380E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R380E6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R380E6X7SA1
Infineon Technologies
IPC60R385CPX1SA1
Infineon Technologies
IPC60R3K3C6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R520E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R520E6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R600E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R600E6X1SA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel