casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFB42N20D
codice articolo del costruttore | IRFB42N20D |
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Numero di parte futuro | FT-IRFB42N20D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFB42N20D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3430pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 330W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFB42N20D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFB42N20D-FT |
IRL7833PBF
Infineon Technologies
IRFB7430GPBF
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IRF1010NPBF
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IRFB3207ZGPBF
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IRFB61N15DPBF
Infineon Technologies
64-0007
Infineon Technologies
64-8016
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94-2304
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AUIRF1010Z
Infineon Technologies
AUIRF1018E
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel