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Infineon Technologies AUIRF1018E

Name: AUIRF1018E
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRF1018E
Price: 1.015312 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (607 reviews)

Numero parte MFG: AUIRF1018E

quantità disponibile: 52650 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.015312

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: AUIRF1018E.pdf

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AUIRF1018E specificazioni

codice articolo del costruttore	AUIRF1018E
Numero di parte futuro	FT-AUIRF1018E
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
AUIRF1018E Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	79A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2290pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF1018E Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	AUIRF1018E-FT

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