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Infineon Technologies IRFB3207ZGPBF

Numero parte MFG
IRFB3207ZGPBF
quantità disponibile
63890 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.464
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRFB3207ZGPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRFB3207ZGPBF
Numero di parte futuro FT-IRFB3207ZGPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFB3207ZGPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6920pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB3207ZGPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFB3207ZGPBF-FT

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