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Infineon Technologies IRFB33N15DPBF

Numero parte MFG
IRFB33N15DPBF
quantità disponibile
59950 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.704
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRFB33N15DPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRFB33N15DPBF
Numero di parte futuro FT-IRFB33N15DPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFB33N15DPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB33N15DPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFB33N15DPBF-FT

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