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Infineon Technologies IRL40B212

Name: IRL40B212
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL40B212
Price: 2.688 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (703 reviews)

Numero parte MFG: IRL40B212

quantità disponibile: 11260 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.688

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 40V 195A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRL40B212.pdf

IRL40B212 specificazioni

codice articolo del costruttore	IRL40B212
Numero di parte futuro	FT-IRL40B212
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRL40B212 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	195A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	137nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8320pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	231W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL40B212 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRL40B212-FT

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