casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF9952QTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF9952QTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF9952QTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF9952QTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A, 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9952QTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF9952QTRPBF-FT |
IRF7104PBF
Infineon Technologies
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XC6SLX100-3FGG676I
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XC6SLX100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484C
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A3P125-VQG100T
Microsemi Corporation
A42MX16-3VQG100I
Microsemi Corporation
EP3C5U256I7
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LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation