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Infineon Technologies IRF9952PBF

Numero parte MFG
IRF9952PBF
quantità disponibile
66430 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF9952PBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRF9952PBF
Numero di parte futuro FT-IRF9952PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF9952PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF9952PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF9952PBF-FT

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