casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF9389PBF
codice articolo del costruttore | IRF9389PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF9389PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF9389PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A, 4.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 6.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 398pF @ 15V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9389PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF9389PBF-FT |
AUIRF9952QTR
Infineon Technologies
BSO604NS2XUMA1
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IRF7101PBF
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XC3S1400A-5FG676C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F45I3LN
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XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F31I5N
Intel
EP4SGX110DF29I3
Intel
EP3CLS200F780C7N
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EP20K400CB652I8ES
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