casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF9388TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF9388TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF9388TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF9388TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 12A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9388TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF9388TRPBF-FT |
BSD316SNL6327XT
Infineon Technologies
BSD816SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSV236SP L6327
Infineon Technologies
BSR802NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR202NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR302NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSR315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSR316PL6327HTSA1
Infineon Technologies