casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF7907PBF
codice articolo del costruttore | IRF7907PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7907PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7907PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.1A, 11A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 15V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7907PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7907PBF-FT |
AUIRF7313Q
Infineon Technologies
AUIRF7313QTR
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AUIRF7316Q
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XC6SLX150-3FG900C
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APA450-FG484A
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A54SX16-1VQG100
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5SGXEA7N3F45I3LN
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Xilinx Inc.
AGL400V5-FG144I
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A40MX04-3PQG100
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