casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AUIRF7313QTR
codice articolo del costruttore | AUIRF7313QTR |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRF7313QTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF7313QTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 6.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 755pF @ 25V |
Potenza - Max | 2.4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF7313QTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRF7313QTR-FT |
TC6321T-V/9U
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TC8220K6-G
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2N7002V-TP
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EP4SGX290FH29I3
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